產(chǎn)品特點

麥科信(Micsig)光隔離探頭MOIP系列帶寬范圍從100MHz到1GHz，可測±0.01V至±6250V差模信號。基于 SigOFIT™ 技術(shù)，MOIP系列擁有很高的共模抑制比，1GHz頻段依然高達108dB,隔離電壓高達85kV，底噪小于0.45mVrms，在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號的全部真相，是判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判。 

 Micsig麥科信MOIP系列MOIP1000P光隔離探頭

MOIP系列采用優(yōu)良的激光供電技術(shù)，激光傳輸信號，激光傳輸電能（不用電池，電源更純凈），可365天不間斷測試，標準BNC接口，適配所有品牌示波器；秒速自校準，無需等待，上電即測，無需預(yù)熱，很高穩(wěn)定性，溫漂極小，精度優(yōu)于1%，可在0dB與20dB切換，使得單根衰減器也擁有2個量程來提高信噪比；輸入電容最小僅1pF，測氮化鎵（GaN）不炸管，衰減器和光纖長度皆可定制，可用于測量SiC/GaN等功率器件的柵極電壓驅(qū)動等高壓高頻挑戰(zhàn)性場景。

最真實的信號呈現(xiàn)

SigOFIT光隔離探頭具有很高的共模抑制比，在100MHz時CMRR高達128dB、在1GHz時CMRR仍然高達108dB，是判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判。

很高的測試精度與穩(wěn)定性

作為判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判，測試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標。SigOFIT光隔離探頭，具有幅頻特性，直流增益精度優(yōu)于1%，底噪小于0.45mVrms，預(yù)熱5min后零點漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。 

第三代半導體的最佳測試手段

第三代半導體器件由于導通與關(guān)斷時間很短，信號具有更快的上升沿和下降沿，信號中具有很高能量的高頻諧波，SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩，所呈現(xiàn)的信號沒有額外多余成分，是第三代半導體測試的選擇。

測試氮化鎵（GaN）不炸管

SigOFIT光隔離探頭測試引線短且采用同軸傳輸，探頭輸入電容最小僅1pF，測試氮化鎵（GaN）十分安全。

使用靈活，高效便捷

SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小，探頭引線更精巧，使用更加靈活方便；探頭響應(yīng)快，上電即測，校準時間小于1秒，校準時，無需斷開測試連接，可實時保證精確的信號輸出。

真正光隔離技術(shù)

用激光傳輸信號+用激光傳輸電能（不用電池，電源更純凈），可365天不間斷測試。

測試量程更寬

不同于高壓差分探頭只可以測試高壓信號，SigOFIT光隔離探頭通過匹配不同的衰減器，可以測試±0.01V至±6250V的差模信號，并實現(xiàn)滿量程輸出，達到很高的信噪比。

Micsig麥科信MOIP系列MOIP1000P光隔離探頭

應(yīng)用場景

對其他電壓探頭所測結(jié)果準確性、真實性存在質(zhì)疑時，SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據(jù)。

電源設(shè)備評估、電流并聯(lián)測量、EMI 和 ESD 故障排除

電機驅(qū)動設(shè)計、功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計 、電子鎮(zhèn)流器設(shè)計

氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設(shè)備的設(shè)計與分析

高壓高帶寬測試應(yīng)用的安全隔離測試

逆變器、UPS及開關(guān)電源的測試

寬電壓、寬帶測試應(yīng)用

各種浮地測試

產(chǎn)品參數(shù)表